این تحقیق در مورد ترانزیستور Fet و Mosfet می باشد که مفهوم ، ساختمان ، طرز کار و کاربرد این ترانزیستورها را بیان می نماید. این تحقیق به دانشجویان رشته های برق (الکترونیک ، الکتروتکنیک) و دیگر رشته های مرتبط با آن پیشنهاد می گردد.
مقدمه
ترانزیستور یکی از مهمترین قطعات الکترونیکی و یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته میشود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نوع N و نوع P میباشد.
ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم میشوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJT) و ترانزیستورهای اثر میدانی (FET). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بین ورودی وترمینال مشترک رسانایی بین خروجی و ترمینال مشترک را افزایش میدهد، از اینرو سبب کنترل جریان بین آنها میشود. مشخصات ترانزیستورها به نوع آن بستگی دارد.
ترانزیستور اثر میدان FET
این ترانزیستورها نیز مانند Jfetها عمل میکنند با این تفاوت که جریان ورودی گیت آنها صفر است. همچنین رابطه جریان با ولتاژ نیز متفاوت است.
این ترانزیستورها دارای دو نوع PMOS و NMOS هستند که فناوری استفاده از دو نوع آن در یک مدار تکنولوژی CMOS نام دارد.
این ترانزیستورها امروزه بسیار کاربرد دارند زیرا به راحتی مجتمع میشوند و فضای کمتری اشغال میکنند. همچنین مصرف توان بسیار ناچیزی دارند.
به تکنولوژیهایی که از دو نوع ترانزیستورهای دوقطبی و Mosfet در آن واحد استفاده میکنند Bicmos میگویند.
البته نقطه کار این ترانزیستورها نسبت به دما حساس است وتغییر میکند. بنابراین بیشتر در سوئیچینگ بکار میروند.
فهرست مطالب
مقدمه
ترانزیستور اثر میدان FET
ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی – فت
کاربردها
پایانهها
اهمیت و ویژگیهای ترانزیستورهای اثر میدان
ترانزیستور ماسفت
ساختمان و ساختار ماسفت ها
ساختار و کارکرد ماسفت افزایشی
ماسفت کاهشی
مدارهای CMOS
دیجیتال
آنالوگ
ماسفت ها و طریقه ی تست آنها
راه انداز ماسفت Driver Mosfet
ماسفت با نفوذ دو گانه DMOS
ماسفت عمودی VMOS
ماسفت تی TMOS
ماسفت یو UMOS
ماسفت HEXMOS
فرمت فایل: WORD
تعداد صفحات: 18
مطالب مرتبط