پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدان (FET)

پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدان (FET) الکترونیک دیجیتال ترانزیستور اثر میدان
Field Effect Transistor الکترونیک دیجیتال ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک میدان الكتریكی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد كلمه ترانزیستور از دو كلمه ترانس (انتقال) و رزیستور (مقاومت) تشكیل شده است و قطعه ای است كه از طریق انتقال مقاومت به خروجی باعث تقویت می شود. تعریف الکترونیک دیجیتال اگر قطعه ای سیلیكن با ناخالصی نوع n به دو سر یك باتری وصل كنیم جریانی با توجه به میزان مقاومت سیلیكن در مدار جاری می شود ورود الكترون ها خروج الكترون ها ایجاد ترانزیستور اثر میدان (FET) الکترونیک دیجیتال نفوذ فلز سه ظرفیتی (مانند ایندیم) و ایجاد ناحیه ای از نوع P با غلظتی بیش از ناحیه n
و ایجاد اتصالی به نام گیت ناحیه n كانال نامیده می شود بایاس ترانزیستور و نحوه كاركرد آن الکترونیک دیجیتال اگر هر سه پایه سورس و درین را اتصال كوتاه كنیم هیچ جریانی از كانال نمی گذرد و دو ناحیه P و n توسط ناحیه تخلیه از هم جدا می شوند. 1 الکترونیک دیجیتال اتصال منبع ولتاژ بین دو پایه درین و سورس به طوری كه درین نسبت به سورس مثبت تر باشد باعث :
افزایش ولتاژ باعث عبور جریان از كانال می شود
اتصال pn در گرایش معكوس قرار می گیرد
ناحیه تخلیه (سد) در داخل كانال نفوذ می كند
با افزایش بیشتر ولتاژ كانال مسدود می شود. (ولتاژ بحرانی Vp) در هنگام رسیدن به ولتاژ بحرانی جریان FET به حداكثر (جریان اشباع درین – سورس) می رسد افزایش بیش از حد ولتاژ
درین – سورس باعث شكست بهمنی یا سوختن ترانزیستور می شود 2 بایاس ترانزیستور و نحوه كاركرد آن الکترونیک دیجیتال 3 بایاس ترانزیستور و نحوه كاركرد آن 4 افزایش

VDS الکترونیک دیجیتال اتصال منبع ولتاژ بین گیت و سورس در جهت معكوس باعث:
– گسترش هر چه سریعتر ناحیه تخلیه در كانال بایاس ترانزیستور و نحوه كاركرد آن 5 در صورتیكه ولتاژ درین – سورس را بیش از ولتاژ بحرانی انتخاب كنیم:
با افزایش ولتاز گیت سورس سرانجام جریان درین صفر خواهد شد. كه به این ولتاژ ، ولتاژ قطع یا آستانه نامیده می شود. الکترونیک دیجیتال درعمل به منظور داشتن مشخصات الكتریكی بهتر ناحیه گیت را در دو طرف كانال ایجاد می كنند و این دو ناحیه از داخل به هم متصل می شود. در این حالت پیشروی ناحیه تخلیه متناسب خواهد بود الکترونیک دیجیتال علامت اختصاری FET الکترونیک دیجیتال الکترونیک دیجیتال در این ترانزیستور تغییرات جریان درین وابسته به تغییرات VDS و VGS می باشد منحنی مشخصه
FET ناحیه قطع : رسیدن ولتاژ VGS به ولتاژ آستانه و تسخیر كانال توسط ناحیه تخلیه هیچ جریانی از درین نمی گذرد ناحیه خطی: در این ناحیه ترانزیستور مانند مقاومت خطی عمل می كند و مقدار آن با مقدار VGS تغییر می كند. ناحیه اشباع: در این ناحیه ترانزیستور مانند منبع جریان ثابت عمل می كند شرط حضور ترانزیستور در این ناحیه :
VDS  VP + VGS ترانزیستور اثر میدان با گیت عایق شده
Isolated Gate Field Effect Transistor (IGFET) الکترونیک دیجیتال به دلیل افزایش جریان نشتی گیت – سورس با افزایش دمای محیط و كاهش مقاومت ورودی آن گیت ترانزیستور با یك لایه اكسید سیلیكون از كانال جدا شده و هیچ جریانی از آن عبور نمی كند . (مقاومت ورودی بی نهایت)
ترانزیستورجدید MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) نامیده می شود. N Channel Mosfet الکترونیک دیجیتال الکترونیک دیجیتال عرض کانال (W) و طول کانال (L)
در نوع N channel بدنه از نوع p و در نوع p کانال بدنه از نوع n ساخته می شود. N Channel Mosfet الکترونیک دیجیتال N Channel Mosfet عملکرد ترانزیستور با ولتاژ گیت صفر
دو لایه فلزی موازی گیت و بدنه صفحات یک خازن و لایه اکسید نیز عایق آن را تشکیل می دهد.
دو اتصال pn (اتصال سورس – بدنه و درین – بدنه) دو دیود پشت به پشت را تشکیل می دهد
پایه های سورس و درین بوسیله دو ناحیه تخلیه ایزوله شده و جریانی بین آن ها برقرار نیست.